- 题名/责任者:
- 碳化硅半导体材料与器件/(美) Michael Shur, (美) Sergey Rumyantsev, Michael Levinshtein主编 杨银堂, 贾护军, 段宝兴译
- 出版发行项:
- 北京:电子工业出版社,2012
- ISBN及定价:
- 978-7-121-17755-2/CNY59.00
- 载体形态项:
- xi, 332页:图;26cm
- 丛编项:
- 国外电子与通信教材系列
- 个人责任者:
- 舒尔 (Shur, Michael) 主编
- 个人责任者:
- 鲁米扬采夫 (Rumyantsev, Sergey) 主编
- 个人责任者:
- 莱温施泰因 (Levinshtein, Michae) 主编
- 个人次要责任者:
- 杨银堂 译
- 个人次要责任者:
- 贾护军 译
- 个人次要责任者:
- 段宝兴 译
- 学科主题:
- I-Ⅵ族化合物半导体-半导体材料-高等学校-教材
- 学科主题:
- I-Ⅵ族化合物半导体-半导体器件-高等学校-教材
- 中图法分类号:
- TN304.2
- 中图法分类号:
- TN304
- 出版发行附注:
- 由World Scienfific Publishing Co. Pte Ltd.授权
- 责任者附注:
- 责任者Shur规范汉译姓: 舒尔 ; 责任者Rumyantsev规范汉译姓: 鲁米扬采夫 ; 责任者Levinshtein规范汉译姓: 莱温施泰因
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiC BJT等。
- 使用对象附注:
- 高等学校电子科学与技术、微电子技术等专业本科高年级学生、研究生
全部MARC细节信息>>