MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：19
- 题名/责任者:
- 短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征/王军著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2020.10
- ISBN及定价:
- 978-7-03-066300-9/CNY88.00
- 载体形态项:
- 149页:图;24cm
- 丛编项:
- 信息材料与应用技术丛书
- 个人责任者:
- 王军 著
- 学科主题:
- 微电子技术-电子器件-高频-噪声-研究
- 中图法分类号:
- TN4
- 相关题名附注:
- 英文并列题名取自于封面
- 书目附注:
- 有书目 (第145-149页) 和索引
- 提要文摘附注:
- 本书针对典型的短沟道器件40纳米MOSFET，从仿真分析（快速估算和精确计算），到基于半导体物理的数学建模，再到基于器件样片测量的实验研究等循序渐进的研究历程，详细介绍了短沟道器件高频噪声机理的偏置不守恒特性的揭示过程。本书的主要内容包括：研究现状分析、基于二维Monte Carlo仿真的噪声分析、基于Boltzmann方程直接求解的噪声分析、基于物理的噪声紧凑模型表征、基于测量的噪声半经验模型表征、人工智能技术在噪声建模中的应用等。
- 使用对象附注:
- 本书适用于电子科学与技术、信息与通信工程、电子工程、应用物理、材料科学等研究领域的科学家、工程师及高校师生参考。
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