MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：18
- 题名/责任者:
- 改性锗半导体物理/宋建军, 冒剑军, 薛笑欢编著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2020.12
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-5951-0/CNY20.00
- 载体形态项:
- 106页:图;26cm
- 个人责任者:
- 宋建军 编著
- 个人责任者:
- 冒剑军 编著
- 个人责任者:
- 薛笑欢 编著
- 学科主题:
- 锗-改性-半导体物理
- 中图法分类号:
- TN304.1
- 中图法分类号:
- TN304
- 一般附注:
- 西安电子科技大学研究生精品教材建设项目
- 书目附注:
- 有书目 (第106页)
- 提要文摘附注:
- 本书主要面向微电子学与固体电子学专业，讲解介绍改性Ge半导体物理相关内容，不仅可拓展相关读者的知识面，更可为读者从事相关研究提供重要技术参考。本书共7章，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。
- 使用对象附注:
- 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。
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