MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：26
- 题名/责任者:
- 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/(美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著 王昱阳, 谢文遨译
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2014.5
- ISBN及定价:
- 978-7-03-040034-5/CNY58.00
- 载体形态项:
- xi, 261页:图;24cm
- 个人责任者:
- 坤社 (Kundu, Sandip) 著
- 个人责任者:
- 斯里达尔 (Sreedhar, Aswin) 著
- 个人次要责任者:
- 王昱阳 译
- 个人次要责任者:
- 谢文遨 译
- 学科主题:
- 纳米材料-CMOS电路-超大规模集成电路-电路设计-教材
- 中图法分类号:
- TN432.02
- 中图法分类号:
- TN432
- 出版发行附注:
- 麦格劳-希尔（亚洲）教育出版出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版
- 相关题名附注:
- 英文原题名取自于书内
- 责任者附注:
- 责任者Kundu规范汉译姓: 坤社 ; 责任者Sreedhar规范汉译姓: 斯里达尔
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法等。
- 使用对象附注:
- 高年级本科生或低年级研究生的教材，相关设计人员。
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