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- 000 01081nam0 2200265 450
- 010 __ |a 978-7-03-036576-7 |b 精装 |d CNY80.00
- 100 __ |a 20130401d2013 em y0chiy0120 ea
- 200 1_ |a 半导体光电阴极 |A Ban Dao Ti Guang Dian Yin Ji |f 贾欣志编著
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2013.3
- 215 __ |a 342页 |c 图 |d 25cm
- 330 __ |a 20世纪60年代中期GaAs负电子亲和势半导体光电阴极的出现,有力地推动了以单晶半导体为基础的光电阴极的发展。除了负电子亲和势半导体光电阴极外,各种场助半导体光电阴极也有很大发展。与半导体工业的融合,使得光电阴极技术的发展在一定程度上摆脱了以经验为基础的局面,进入了以半导体带隙工程为基础的科学设计新阶段。
- 333 __ |a 从事电子物理、电真空物理、光电成像和夜视技术领域及其他涉及光电阴极领域的科研人员
- 606 0_ |a 半导体电子学 |A Ban Dao Ti Dian Zi Xue |x 光电阴极
- 701 _0 |a 贾欣志 |A Jia Xin Zhi |4 编著
- 801 _0 |a CN |b WXCSXY |c 20131101
- 905 __ |a WXCSXY |d TN301/4