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• 005 20140630180100.0

• 010 __ |a 978-7-121-20188-2 |d CNY79.00

• 100 __ |a 20131009d2013 em y0chiy0120 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 模拟CMOS电路设计折中与优化 |A Mo Ni CMOS Dian Lu She Ji Zhe Zhong Yu You Hua |d = Tradeoffs and optimization in analog CMOS design |f (美) David M. Binkley著 |g 冯军, 胡庆生等译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2013.5

• 215 __ |a 27, 523页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国外电子与通信教材系列 |A Guo Wai Dian Zi Yu Tong Xin Jiao Cai Xi Lie

• 306 __ |a 由John Wiley & Sons, Ltd.授予

• 314 __ |a 责任者Binkley规范汉译姓: 宾克利

• 330 __ |a 本书分为两部分，第一部分研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出介绍；第二部分采用CMOS工艺结合典型电路计进行实例介绍， 给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。

• 333 __ |a 可作为高等院校的研究生教材,也可作为集成电路设计领域高水平技术人员的参考书

• 410 _0 |1 2001 |a 国外电子与通信教材系列

• 500 10 |a Tradeoffs and optimization in analog CMOS design |A Tradeoffs And Optimization In Analog Cmos Design |m Chinese

• 606 0_ |a 模拟电路 |A Mo Ni Dian Lu |x CMOS电路 |x 电路设计 |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN432.02 |v 5

• 690 __ |a TN432 |v 4

• 701 _1 |a 宾克利 |A Bin Ke Li |g (Binkley, David M.) |4 著

• 702 _0 |a 冯军 |A Feng Jun |4 译

• 702 _0 |a 胡庆生 |A Hu Qing Sheng |4 译

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20131009

• 905 __ |a WXCSXY |d TN432/21