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• 010 __ |a 978-7-5606-5951-0 |d CNY20.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 改性锗半导体物理 |A gai xing zhe ban dao ti wu li |f 宋建军, 冒剑军, 薛笑欢编著

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2020.12

• 215 __ |a 106页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 西安电子科技大学研究生精品教材建设项目

• 320 __ |a 有书目 (第106页)

• 330 __ |a 本书主要面向微电子学与固体电子学专业，讲解介绍改性Ge半导体物理相关内容，不仅可拓展相关读者的知识面，更可为读者从事相关研究提供重要技术参考。本书共7章，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。

• 333 __ |a 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。

• 606 0_ |a 锗 |A zhe |x 改性 |x 半导体物理

• 690 __ |a TN304.1 |v 5

• 690 __ |a TN304 |v 4

• 701 _0 |a 宋建军 |A song jian jun |4 编著

• 701 _0 |a 冒剑军 |A mao jian jun |4 编著

• 701 _0 |a 薛笑欢 |A xue xiao huan |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20210406

• 905 __ |a WXCSXY |d TN304/12