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• 005 20141207201900.0

• 010 __ |a 978-7-03-040034-5 |d CNY58.00

• 100 __ |a 20140609d2014 em y0chiy0120 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计 |A Na Mi Ji CMOS Chao Da Gui Mo Ji Cheng Dian Lu Ke Zhi Zao Xing She Ji |f (美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著 |g 王昱阳, 谢文遨译

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014.5

• 215 __ |a xi, 261页 |c 图 |d 24cm

• 306 __ |a 麦格劳-希尔（亚洲）教育出版出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版

• 312 __ |a 英文原题名取自于书内

• 314 __ |a 责任者Kundu规范汉译姓: 坤社 ; 责任者Sreedhar规范汉译姓: 斯里达尔

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法等。

• 333 __ |a 高年级本科生或低年级研究生的教材，相关设计人员。

• 500 10 |a Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability |A Nanoscale Cmos Vlsi Circuits Design For Manufacturability |m Chinese

• 606 0_ |a 纳米材料 |A Na Mi Cai Liao |x CMOS电路 |x 超大规模集成电路 |x 电路设计 |j 教材

• 690 __ |a TN432.02 |v 5

• 690 __ |a TN432 |v 4

• 701 _1 |a 坤社 |A Kun She |g (Kundu, Sandip) |4 著

• 701 _1 |a 斯里达尔 |A Si Li Da Er |g (Sreedhar, Aswin) |4 著

• 702 _0 |a 王昱阳 |A Wang Yu Yang |4 译

• 702 _0 |a 谢文遨 |A Xie Wen Ao |4 译

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20140609

• 905 __ |a WXCSXY |d TN432/24