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• 010 __ |a 978-7-111-77736-6 |d CNY129.00

• 092 __ |b 百万庄10410001374

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• 200 __ |a 半导体存储与系统 |f (意) 安德烈·雷达利(Andrea Redaelli)等著

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025-04-01

• 215 __ |a 280页 |d 24cm

• 330 __ |a 本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后，本书重点介绍了各种主流技术，详述了它们的现状、挑战和机遇，并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）、非易失性存储器（NVM）和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器以及存储级内存（SCM）的各项必备条件和系统级需求。每一章都涵盖了物理运行机制、制造技术和可微缩性的主要挑战因素。最后，本书回顾了SCM的新兴趋势，主要关注基于相变的存储技术的优势和机遇。

• 333 __ |a 高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生，半导体和微电子领域的从业人员

• 690 __ |a TN303

• 701 __ |a 雷达利

• 702 __ |a 霍宗亮

• 801 __ |a CN |b 北京百万庄图书大厦 |c 2025-04-17